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Use este identificador para citar ou linkar para este item: http://repositorio.unb.br/handle/10482/38228
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2019_AlexandreCavalheiroDias.pdf13,47 MBAdobe PDFVisualizar/Abrir
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dc.contributor.advisorQu, Fanyao-
dc.contributor.authorDias, Alexandre Cavalheiro-
dc.date.accessioned2020-06-26T12:55:23Z-
dc.date.available2020-06-26T12:55:23Z-
dc.date.submitted2019-01-08-
dc.identifier.citationDIAS, Alexandre Cavalheiro. Estrutura eletrônica, propriedades ópticas, e dinâmica dos éxcitons no Vale dos dicalcogenetos de metais de transição 2H 2019.130 f., il. Tese (Doutorado em Física) — Universidade de Brasília, Brasília, 2019.pt_BR
dc.identifier.urihttps://repositorio.unb.br/handle/10482/38228-
dc.descriptionTese (doutorado em Física) — Universidade de Brasília, Brasília, 2023..pt_BR
dc.description.abstractNa literatura dos DCMTs 2H existem dois tipos de modelo de Tight-Binding, um com os termos de hopping definidos através da teoria de grupos e outro nos quais esses termos são definidos mediante aproximação de SK, escolhemos o segundo tipo devido à sua versatilidade e simplicidade. Com nosso modelo construído e parametrizado, estudamos os efeitos de proximidade nos DCMTs 2H, com o intuito de quebrar a degenerescência dos vales, tal quebra nos permite um maior controle do grau de liberdade dos vales, bem como um controle das propriedades ópticas do material. Como nos DCMTs 2H a interação Coulombiana é relativamente forte, apenas com uma descrição dos éxcitons podemos explicar experimentalmente a resposta óptica do material, por isso através do cálculo BSE, obtemos essas quase partículas, bem como calculamos a resposta óptica das mesmas mediante os efeitos de proximidade. Quando aplicamos um substrato magnético nos DCMTs 2H, temos esses efeitos de proximidade, através do controle da direção da magnetização desses substratos podemos controlar de forma eficiente a atividade óptica dos éxcitons, podendo gerar estados excitônicos com um maior tempo de vida, o que possibilita a aplicação dos efeitos multicorpos na valetrônica. Possibilitando a criação de futuros dispositivos com esses novos materiais.pt_BR
dc.rightsAcesso Abertopt_BR
dc.titleEstrutura eletrônica, propriedades ópticas, e dinâmica dos éxcitons no Vale dos dicalcogenetos de metais de transição 2Hpt_BR
dc.typeTesept_BR
dc.subject.keywordMetais de transiçãopt_BR
dc.subject.keywordÉxcitonpt_BR
dc.rights.licenseA concessão da licença deste item refere-se ao termo de autorização impresso assinado pelo autor com as seguintes condições: Na qualidade de titular dos direitos de autor da publicação, autorizo a Universidade de Brasília e o IBICT a disponibilizar por meio dos sites www.bce.unb.br, www.ibict.br, http://hercules.vtls.com/cgi-bin/ndltd/chameleon?lng=pt&skin=ndltd sem ressarcimento dos direitos autorais, de acordo com a Lei nº 9610/98, o texto integral da obra disponibilizada, conforme permissões assinaladas, para fins de leitura, impressão e/ou download, a título de divulgação da produção científica brasileira, a partir desta data.pt_BR
dc.description.abstract1In the 2H TMDC literature, we find two kinds of Tight-Binding models, the first uses group theory to define the hopping parameters, the later prefers to use SK approximation to do the same. We choose the second kind, due to their simplicity and versatility. With our model developed and parametrized, we study the proximity effects in the 2H TMDC, with the objective of lift valley degeneracy, this allow us to control the valley degree of freedom, as permit us to tunning the optical properties of those materials. As the Coulomb interaction are stronger in the 2H TMDC, only a description of the excitons quasi-particles can explain theoretically the optical response obtained through experimental measures. So throught BSE formalism, we will obtain those quasi-particle energies and calculate their optical response due proximity effect. When we applied a magnectic substrate in 2H TMDCs, the proximity effect generated, throught the tunning of magnetization direction, we can control effectively the exciton optical activity, generating excitonic states with a larger life time. Which allow us to apply the many-body effect in valleytronics. Making possible the development of future new devices with those materials.pt_BR
dc.description.unidadeInstituto de Física (IF)pt_BR
dc.description.ppgPrograma de Pós-Graduação em Físicapt_BR
Aparece nas coleções:Teses, dissertações e produtos pós-doutorado

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