Estrutura eletrônica, propriedades ópticas, e dinâmica dos éxcitons no Vale dos dicalcogenetos de metais de transição 2H

Abstract

Na literatura dos DCMTs 2H existem dois tipos de modelo de Tight-Binding, um com os termos de hopping definidos através da teoria de grupos e outro nos quais esses termos são definidos mediante aproximação de SK, escolhemos o segundo tipo devido à sua versatilidade e simplicidade. Com nosso modelo construído e parametrizado, estudamos os efeitos de proximidade nos DCMTs 2H, com o intuito de quebrar a degenerescência dos vales, tal quebra nos permite um maior controle do grau de liberdade dos vales, bem como um controle das propriedades ópticas do material. Como nos DCMTs 2H a interação Coulombiana é relativamente forte, apenas com uma descrição dos éxcitons podemos explicar experimentalmente a resposta óptica do material, por isso através do cálculo BSE, obtemos essas quase partículas, bem como calculamos a resposta óptica das mesmas mediante os efeitos de proximidade. Quando aplicamos um substrato magnético nos DCMTs 2H, temos esses efeitos de proximidade, através do controle da direção da magnetização desses substratos podemos controlar de forma eficiente a atividade óptica dos éxcitons, podendo gerar estados excitônicos com um maior tempo de vida, o que possibilita a aplicação dos efeitos multicorpos na valetrônica. Possibilitando a criação de futuros dispositivos com esses novos materiais.