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Título: Effect of non-abrupt doping and interfacial profiles on the carrier sheet density in one-side modulation-doped GaN/AlGaN quantum wells
Autor(es): Enders Neto, Bernhard Georg
Lima, Fábio Menezes de Souza
Fonseca, Antonio Luciano de Almeida
Nunes, O. A. C.
Silva Júnior, Eronides Felisberto da
Assunto: Elétrons
Física quântica
Data de publicação: Abr-2009
Referência: ENDERS NETO, B. G. et al. Effect of non-abrupt doping and interfacial profiles on the carrier sheet density in one-side modulation-doped GaN/AlGaN quantum wells. Brazilian Journal of Physics, São Paulo, v. 39, n, 1A, p. 252-255, abr. 2009. Disponível em: <http://www.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0103-97332009000200023&lng=pt&nrm=iso>. Acesso em: 01 dez. 2010.
Resumo: The results of an accurate theoretical study on the effects of non-abrupt doping and interfacial profiles on the electron sheet density in one-side modulation-doped wurtzite GaN/AlGaN single quantum wells at low temperatures are presented. We solve coupled Schr¨odinger and Poisson equations self-consistently via the finite difference method. By employing a proper discretization on a nonuniform grid and taking into account the strong piezoelectric and spontaneous polarization fields exhibited by the wurtzite III-nitride heterostructures, a substantial increase in the 2DEG density is predicted with the increase of the donor diffusion length and the reduction of the spacer thickness.
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