Skip navigation
Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://repositorio2.unb.br/jspui/handle/10482/12636
Ficheros en este ítem:
Fichero Descripción Tamaño Formato  
2012_CamilaPeixotoSilvaMadeiraNogueira.pdf1,66 MBAdobe PDFVisualizar/Abrir
Título : Análise comparativa entre interconexões de nanotubo de carbono e interconexões de cobre para circuitos GSI/TSI
Otros títulos : Comparative analysis between carbon nanotube interconnects and copper interconnects for GSI/TSI circuits
Autor : Nogueira, Camila Peixoto da Silva Madeira
Orientador(es):: Guimarães, Janaína Gonçalves
Assunto:: Nanotecnologia
Circuitos integrados - desempenho
Transistores
Fecha de publicación : 28-mar-2013
Citación : NOGUEIRA, Camila Peixoto da Silva Madeira Nogueira. Análise Comparativa entre Interconexões de Nanotubo de Carbono e Interconexões de Cobre para Circuitos GSI/TSI. 2012. xiii, 72 f., Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica)—niversidade de Brasília, Brasília, 2012.
Resumen : Nesta dissertação será realizado o estudo de nanotubos de carbono como possíveis substitutos do cobre em interconexões em circuitos integrados GSI e TSI. Dessa forma, os modelos de circuitos do SWCNT (single-walled carbon nanotube) e do cobre serão apresentados e o estudo comparativo do desempenho destes materiais será realizado, considerando diferentes comprimentos das interconexões. Além disso, o efeito destas interconexões será analisado na rede H-tree clock com inversores em seus terminais, também para diferentes comprimentos. Os inversores utilizados são formados por dispositivos de tunelamento mono-elétron. Com este propósito, as interconexões serão simuladas usando o software LTSPICE. ______________________________________________________________________________ ABSTRACT
In this work, carbon nanotubes as possible candidates to replace copper as interconnects in GSI and TSI integrated circuits are studied. The circuit model of SWCNT (single-walled carbon nanotube) and of copper are presented and a comparison between both materials is studied, considering different interconnect lengths. In addition, interconnects effect is analyzed in the H-tree clock network using inverters in its ends. The inverters are formed by mono-electron tunneling devices. For this purpose, the interconnects will be simulated using LTSPICE software.
metadata.dc.description.unidade: Faculdade de Tecnologia (FT)
Departamento de Engenharia Elétrica (FT ENE)
Descripción : Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Faculdade de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica, 2012.
metadata.dc.description.ppg: Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
Aparece en las colecciones: Teses, dissertações e produtos pós-doutorado

Mostrar el registro Dublin Core completo del ítem " class="statisticsLink btn btn-primary" href="/jspui/handle/10482/12636/statistics">



Los ítems de DSpace están protegidos por copyright, con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.