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Título : Light Absorption near Threshold with Phonon Participation for Impurities in Semiconductors
Autor : Amato, Angélica Amorim
Fecha de publicación : 2002
Editorial : Sociedade Brasileira de Física
Citación : Rev. Bras. Ensino Fís.,v.24,n.4,p.379-382,2002
Resumen : It is presented a simple model for the calculation of the transition rate for impurities in semiconductors in which electron-phonon interaction is taken into account in a second order time dependent perturbation theory. This result shows the explicit dependence of the transition rate on the phonon density of states and that the absorption curve of a semiconductor is modulated by the phonon structure.
metadata.dc.description.unidade: Em processamento
DOI: https://dx.doi.org/10.1590/S1806-11172002000400003
Aparece en las colecciones: Artigos publicados em periódicos e afins

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