Skip navigation
Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://repositorio.unb.br/handle/10482/25956
Fichier(s) constituant ce document :
Fichier TailleFormat 
a03v24n4.pdf136,51 kBAdobe PDFVoir/Ouvrir
Titre: Light Absorption near Threshold with Phonon Participation for Impurities in Semiconductors
Auteur(s): Amato, Angélica Amorim
Date de publication: 2002
Editeur: Sociedade Brasileira de Física
Référence bibliographique: Rev. Bras. Ensino Fís.,v.24,n.4,p.379-382,2002
Résumé: It is presented a simple model for the calculation of the transition rate for impurities in semiconductors in which electron-phonon interaction is taken into account in a second order time dependent perturbation theory. This result shows the explicit dependence of the transition rate on the phonon density of states and that the absorption curve of a semiconductor is modulated by the phonon structure.
metadata.dc.description.unidade: Em processamento
DOI: https://dx.doi.org/10.1590/S1806-11172002000400003
Collection(s) :Artigos publicados em periódicos e afins

Affichage détaillé " class="statisticsLink btn btn-primary" href="/jspui/handle/10482/25956/statistics">



Tous les documents dans DSpace sont protégés par copyright, avec tous droits réservés.